半導体のケイ素の工業の製品：  
 
ケイ素はIC産業の基礎で、半導体の材料の中で98％はケイ素で、半導体ケイ素工業製品は多結晶シリコン、単結晶シリコン（引通しと帯域溶融）、外延片と非晶ケイ素などを含み、その中で、ケイ素単晶の引通しはICと中小パワー器具の部品に応用します。単晶帯域溶融は現在主にハイ・パワーの半導体の器具の部品に用いて、たとえば整流のダイオード、シリコン可変整流器、ハイ・パワーのトランジスターなどです。単結晶シリコンと多結晶シリコンの応用は最も広いです。

弊社は先端の科学技術、開拓・革新することに力を尽くし、長期の協力メーカーは単結晶シリコン、多結晶シリコン、及びΦ4〃-Φ6〃引通し研磨片、Φ3〃- Φ6〃引通し研磨片と帯域溶融NTD研磨片を スケール生産と大量供給が可能で、国内内外の取引先の要求により非標準製品の提供もできます。

単結晶シリコン：単結晶シリコンは主に引通しと帯域溶融があります。 
　帯域溶融（NTD）の単結晶シリコンは生産可能直径範囲はΦ1.5〃- Φ4〃です。引通し単結晶シリコンの生産可能直径範囲はΦ2〃-Φ8〃です。  
各項目のパラメーターは取引先の要求により生産可能です。  

多結晶シリコン  
帯域溶融用多結晶シリコン：直径Φ40mm−Φ70mmの生産が可能です。直径の公差(Tolerance)≦10%、施主水平＞300Ω.cm，受主水平＞3000Ω.cm，炭素含有量＜2×1016at/cm3 。各項目のパラメーターは取引先の要求により生産可能です。

切磨片  
切磨片の生産可能直径範囲は：Φ1.5〃- Φ6〃です。厚さの公差、総厚さの公差、曲の度、抵抗率などのパラメーターは国家現行標準に合い且つ優れています。また取引先の要求により生産可能です。

研磨片 
研磨片の生産可能直径範囲は：Φ2〃- Φ6〃，厚さの公差、総厚さの公差、曲の度、平整度、抵抗率などのパラメーターは国家現行標準に合い且つ優れています。また取引先の要求により生産可能です。  

弊社は転換率の16% 最大の仕事率の3.15Wの156単結晶シリコン電池片の供給します。同時に125*125多結晶シリコンも供給します。  
 
156*156多結晶シリコンの電池片製品の規格は次の通りです：

 
Parameter Wafer

General

Crystal type:      Multicrystalline

Dopant:       Boron

Electrical characteristics

Resistivity:      0.5 - 3.0 _.cm

Lifetime:      > 2 μs

Chemical characteristics

Carbon content:      < 4 x 1017 cm-3

Oxygen content:      < 1 x 1018 cm-3

Dimensions

Wafer square side:     156 x 156 ± 0,5 mm

Wafer thickness:     200 μm ± 30 μm

Square sides angle:     90° ± 0.3°

Bevel edge width:     1.0 - 2.0 mm

Bevel edge angle:     45° + 25°

TTV:       < 50 μm

Bow:       < 60 μm

Saw grooves:      < 20 μm

Edge defect:      not allowed

Micellaneous

Wafer surface:      as cut and cleaned

Contamination:      no dirt / oil stains, remains of

              soap / glue