硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98％是硅，半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅（直拉和区熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最广。

    公司致力于尖端科技、开拓创新，长期合作的厂商能够规模生产和大批量供应单晶硅、多晶硅及Φ4〃- Φ6〃直拉抛光片、 Φ3〃- Φ6〃直拉磨片和区熔NTD磨片并且可以按照国内、外客户的要求提供非标产品。 

    单晶硅：单晶硅主要有直拉和区熔 

    区熔（NTD）单晶硅可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ4〃。直拉单晶硅可生产直径范围为：Φ2〃-Φ8〃。 

    各项参数可按客户要求生产。 
 
 

    多晶硅 

    区熔用多晶硅：可生产直径Φ40mm－Φ70mm。直径公差(Tolerance)≤10%，施主水平＞300Ω.㎝，受主水平＞3000Ω.㎝，碳含量＜2×1016at/㎝3 。各项参数可按客户要求生产。 

    切磨片 

    切磨片可生产直径范围为：Φ1.5〃- Φ6〃。厚度公差、总厚度公差、翘曲度、电阻率等参数符合并优于国家现行标准，并可按客户要求生产。 

    抛光片 

    抛光片可生产直径范围为：Φ2〃- Φ6〃，厚度公差、总厚度公差、翘曲度、平整度、电阻率等参数符合并优于国家现行标准，并可按客户要求生产。 

    我公司供应156单晶硅电池片，转换率16% 最大功率3.15W。同时还供应125*125多晶硅片。

    156*156多晶硅电池片产品规格如下：

Parameter Wafer

General

Crystal type:      Multicrystalline

Dopant:       Boron

Electrical characteristics

Resistivity:      0.5 - 3.0 _.cm

Lifetime:      > 2 μs

Chemical characteristics

Carbon content:      < 4 x 1017 cm-3

Oxygen content:      < 1 x 1018 cm-3

Dimensions

Wafer square side:     156 x 156 ± 0,5 mm

Wafer thickness:     200 μm ± 30 μm

Square sides angle:     90° ± 0.3°

Bevel edge width:     1.0 - 2.0 mm

Bevel edge angle:     45° + 25°

TTV:       < 50 μm

Bow:       < 60 μm

Saw grooves:      < 20 μm

Edge defect:      not allowed

Micellaneous

Wafer surface:      as cut and cleaned

Contamination:      no dirt / oil stains, remains of

              soap / glue